SSM3J356R,LXGF(T Toshiba
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 559+ | 2.11 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
559 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SSM3J356R,LXGF(T Toshiba
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; 60V; 2A; 2W; SOT23F, Type of transistor: P-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 2A, Power dissipation: 2W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: 10V, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SSM3J356R,LXGF(T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SSM3J356R,LXGF(T | TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; 60V; 2A; 2W; SOT23F Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Power dissipation: 2W Case: SOT23F Gate-source voltage: 10V Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM3J356R,LXGF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 60V; 2A; 2W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 10V
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 60V; 2A; 2W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 10V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)