SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


SSM3J35AMFV.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Supplier Device Package: VESM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
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1263+0.14 EUR
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SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
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Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
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SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba SSM3J35AMFV_datasheet_en_20210201-1289307.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
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8000+0.058 EUR
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