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SSM3J36FS,LF

SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=11656&prodName=SSM3J36FS
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 318000 Stücke:
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3000+0.092 EUR
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Technische Details SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3J36FS,LF SSM3J36FS,LF Toshiba E060CCB59C8227C941A077C7391283E7A74E9DE57B3DF2AF06B421342D1EA707.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET
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SSM3J36FS,LF SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11656&prodName=SSM3J36FS Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
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SSM3J36FS,LF Toshiba docget.jsp?did=11656&prodName=SSM3J36FS P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
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SSM3J36FS,LF Toshiba docget.jsp?did=11656&prodName=SSM3J36FS Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
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SSM3J36FS,LF
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MOSFETs Small Signal MOSFET
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SSM3J36FS,LF
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
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Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
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P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
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