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SSM3J56ACT,L3F

SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J56ACT_datasheet_en_20221125.pdf?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Technische Details SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote SSM3J56ACT,L3F nach Preis ab 0.067 EUR bis 0.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
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SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
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SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT_datasheet_en_20221125.pdf?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
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5000+0.13 EUR
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SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Hersteller : Toshiba SSM3J56ACT_datasheet_en_20160913-1916443.pdf MOSFET Nch MOSFET
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