SSM3J66MFV,L3F(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 306+ | 0.82 EUR |
| 603+ | 0.38 EUR |
| 800+ | 0.26 EUR |
| 1170+ | 0.18 EUR |
| 1427+ | 0.15 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details SSM3J66MFV,L3F(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm.
Weitere Produktangebote SSM3J66MFV,L3F(T nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SSM3J66MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm |
auf Bestellung 7905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3J66MFV,L3F(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.82 EUR |
| 603+ | 0.38 EUR |
| 800+ | 0.26 EUR |
| 1170+ | 0.18 EUR |
| 1427+ | 0.15 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |