SSM3J66MFV,L3XHF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 400+ | 0.62 EUR |
| 658+ | 0.36 EUR |
| 1051+ | 0.2 EUR |
| 1417+ | 0.15 EUR |
| 1793+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.094 EUR |
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Technische Details SSM3J66MFV,L3XHF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm.
Weitere Produktangebote SSM3J66MFV,L3XHF(T nach Preis ab 0.094 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SSM3J66MFV,L3XHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3J66MFV,L3XHF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 500+ | 0.62 EUR |
| 658+ | 0.36 EUR |
| 1051+ | 0.2 EUR |
| 1417+ | 0.15 EUR |
| 1793+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.094 EUR |