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SSM3K09FU,LF(T

SSM3K09FU,LF(T Toshiba

12docget.jsppidssm3k09fulangentypedatasheet.jsppidssm3k09fulangenty.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
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Technische Details SSM3K09FU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K09FU,LF(T SSM3K09FU,LF(T Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
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SSM3K09FU,LF(T SSM3K09FU,LF(T Toshiba 12docget.jsppidssm3k09fulangentypedatasheet.jsppidssm3k09fulangenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
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SSM3K09FU,LF(T SSM3K09FU,LF(T TOSHIBA 3622425.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
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SSM3K09FU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
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Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
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Bauform - Transistor: SOT-323
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
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