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SSM3K116TU,LF(T

SSM3K116TU,LF(T Toshiba

378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
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Technische Details SSM3K116TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SSM3K116TU,LF(T SSM3K116TU,LF(T Hersteller : TOSHIBA 4249027.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
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SSM3K116TU,LF(T SSM3K116TU,LF(T Hersteller : TOSHIBA 4249027.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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