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SSM3K116TU,LF(T TOSHIBA


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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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Technische Details SSM3K116TU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K116TU,LF(T SSM3K116TU,LF(T Toshiba 378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
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198+1.04 EUR
353+0.5 EUR
500+0.44 EUR
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SSM3K116TU,LF(T SSM3K116TU,LF(T TOSHIBA 4249027.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
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Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
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Bauform - Transistor: SOT-323F
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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