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SSM3K15ACT,L3F(T

SSM3K15ACT,L3F(T Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
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Technische Details SSM3K15ACT,L3F(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 100mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SSM3K15ACT,L3F(T SSM3K15ACT,L3F(T TOSHIBA 4163435.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Rds(on)-Prüfspannung: 4V
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