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Technische Details SSM3K15AFS,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM3K15AFS,LF(T nach Preis ab 0.075 EUR bis 0.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: To Be Advised |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: To Be Advised |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Case: SC75 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Case: SC75 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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