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SSM3K15AMFV,L3F(T

SSM3K15AMFV,L3F(T Toshiba

3220docget.jsplangenpidssm3k15amfvtypedatasheet.jsplangenpidssm3k15am.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
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Technische Details SSM3K15AMFV,L3F(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
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Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
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SSM3K15AMFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
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SSM3K15AMFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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