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Technische Details SSM3K16FU(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Weitere Produktangebote SSM3K16FU(TE85L,F) nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.099 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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SSM3K16FU(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
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SSM3K16FU(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
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SSM3K16FU(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
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SSM3K16FU(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
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SSM3K16FU(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
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SSM3K16FU(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SSM3K16FU(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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