SSM3K318R,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 182+ | 1.38 EUR |
| 248+ | 0.94 EUR |
| 404+ | 0.54 EUR |
| 556+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details SSM3K318R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 1W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm.
Weitere Produktangebote SSM3K318R,LF(T nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM3K318R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm |
auf Bestellung 4070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K318R,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SSM3K318R,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM3K318R,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
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Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
auf Bestellung 4070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 182+ | 1.38 EUR |
| 248+ | 0.94 EUR |
| 404+ | 0.54 EUR |
| 556+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| SSM3K318R,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SSM3K318R,LF(T |
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)


