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SSM3K329R,LF(B Toshiba

Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R

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Technische Details SSM3K329R,LF(B Toshiba

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 3.5A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 289mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 1.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

Weitere Produktangebote SSM3K329R,LF(B

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	SSM3K329R,LF(B	TOSHIBA	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 289mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SSM3K329R,LF(B

Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 289mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

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