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SSM3K336R,LF

SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13694&prodName=SSM3K336R
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
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Technische Details SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23F, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Toshiba ssm3k336r_datasheet_en_20210916.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
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740+0.24 EUR
826+0.21 EUR
936+0.18 EUR
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1276+0.13 EUR
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SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Toshiba ssm3k336r_datasheet_en_20210916.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
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SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13694&prodName=SSM3K336R Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Toshiba 26A32E3725039274BDE1908303A8315EA75B3F365B6AFA59F0C8408B8CC958B3.pdf MOSFETs Small Signal Mosfet
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