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SSM3K336R,LF

SSM3K336R,LF Toshiba

ssm3k336r_datasheet_en_20210916.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
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Technische Details SSM3K336R,LF Toshiba

Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V.

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SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K336R_datasheet_en_20210916.pdf?did=13694&prodName=SSM3K336R Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
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SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Hersteller : Toshiba ssm3k336r_datasheet_en_20210916.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
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SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Hersteller : Toshiba SSM3K336R_datasheet_en_20210916-1916231.pdf MOSFET Small Signal Mosfet
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SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K336R_datasheet_en_20210916.pdf?did=13694&prodName=SSM3K336R Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
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