Produkte > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K336R,LF
SSM3K336R,LF

SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13694&prodName=SSM3K336R
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote SSM3K336R,LF nach Preis ab 0.088 EUR bis 0.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Toshiba ssm3k336r_datasheet_en_20210916.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
740+0.24 EUR
826+0.21 EUR
936+0.18 EUR
1080+0.15 EUR
1276+0.13 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Toshiba ssm3k336r_datasheet_en_20210916.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
505+0.35 EUR
732+0.23 EUR
826+0.19 EUR
936+0.17 EUR
1080+0.13 EUR
1276+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Toshiba 26A32E3725039274BDE1908303A8315EA75B3F365B6AFA59F0C8408B8CC958B3.pdf MOSFETs Small Signal Mosfet
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.4 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K336R,LF SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13694&prodName=SSM3K336R Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
auf Bestellung 9063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
53+0.39 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K336R,LF ssm3k336r_datasheet_en_20210916.pdf
SSM3K336R,LF
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
740+0.24 EUR
826+0.21 EUR
936+0.18 EUR
1080+0.15 EUR
1276+0.13 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K336R,LF ssm3k336r_datasheet_en_20210916.pdf
SSM3K336R,LF
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
505+0.35 EUR
732+0.23 EUR
826+0.19 EUR
936+0.17 EUR
1080+0.13 EUR
1276+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K336R,LF 26A32E3725039274BDE1908303A8315EA75B3F365B6AFA59F0C8408B8CC958B3.pdf
SSM3K336R,LF
Hersteller: Toshiba
MOSFETs Small Signal Mosfet
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.9 EUR
10+0.4 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K336R,LF docget.jsp?did=13694&prodName=SSM3K336R
SSM3K336R,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
auf Bestellung 9063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
53+0.39 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH