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SSM3K341R,LF

SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
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Technische Details SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote SSM3K341R,LF nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SSM3K341R,LF SSM3K341R,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
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SSM3K341R,LF SSM3K341R,LF Hersteller : Toshiba SSM3K341R_datasheet_en_20250220-958611.pdf MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
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SSM3K341R,LF SSM3K341R,LF Hersteller : Toshiba ssm3k341r_datasheet_en_20210203.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
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SSM3K341R,LF SSM3K341R,LF Hersteller : Toshiba ssm3k341r_datasheet_en_20210203.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
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SSM3K341R,LF SSM3K341R,LF Hersteller : Toshiba ssm3k341r_datasheet_en_20210203.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
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