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SSM3K341TU,LF

SSM3K341TU,LF Toshiba

ssm3k341tu_datasheet_en_20220311.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
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Technische Details SSM3K341TU,LF Toshiba

Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V.

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SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Hersteller : Toshiba ssm3k341tu_datasheet_en_20220311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
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SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU_datasheet_en_20220311.pdf?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
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SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Hersteller : Toshiba SSM3K341TU_datasheet_en_20220311-1289324.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
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SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU_datasheet_en_20220311.pdf?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
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SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Hersteller : Toshiba ssm3k341tu_datasheet_en_20220311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
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SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Hersteller : Toshiba ssm3k341tu_datasheet_en_20220311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive 3-Pin UFM T/R
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