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SSM3K345R,LF

SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=55842&prodName=SSM3K345R
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
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Technische Details SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K345R,LF SSM3K345R,LF Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
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SSM3K345R,LF SSM3K345R,LF Toshiba 71C32E3DAD388F15D8572193AE621FB3A1432D2A135C134C3519A9C70F847483.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
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SSM3K345R,LF SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55842&prodName=SSM3K345R Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
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Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
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