SSM3K357R,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 183+ | 1.37 EUR |
| 407+ | 0.57 EUR |
| 463+ | 0.46 EUR |
| 610+ | 0.36 EUR |
| 1500+ | 0.35 EUR |
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Technische Details SSM3K357R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm.
Weitere Produktangebote SSM3K357R,LF(T nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM3K357R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm |
auf Bestellung 8648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R |
auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF(T | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 650mA Power dissipation: 1.5W Case: SOT23F Gate-source voltage: 12V On-state resistance: 1.8Ω Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM3K357R,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 8648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 183+ | 1.37 EUR |
| 407+ | 0.57 EUR |
| 463+ | 0.46 EUR |
| 610+ | 0.36 EUR |
| 1500+ | 0.35 EUR |
| SSM3K357R,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 824+ | 0.21 EUR |
| 963+ | 0.18 EUR |
| 1017+ | 0.17 EUR |
| SSM3K357R,LF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 650mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 12V
On-state resistance: 1.8Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 650mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 12V
On-state resistance: 1.8Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)