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SSM3K357R,LF

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Produktcode: 197600
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K357R,LF SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59207&prodName=SSM3K357R Description: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM3K357R,LF SSM3K357R,LF Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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SSM3K357R,LF SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59207&prodName=SSM3K357R Description: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
auf Bestellung 8191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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SSM3K357R,LF SSM3K357R,LF Toshiba 06D306474352B3FC2E76FD964500D5F03CE91F1A5A15B726B7BC61B10DEAC9FC.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
auf Bestellung 5554 Stücke:
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4+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SSM3K357R,LF SSM3K357R,LF Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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SSM3K357R,LF Toshiba docget.jsp?did=59207&prodName=SSM3K357R Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C; SSM3K357RLFT-TOS-0; SSM3K357R,LF(T; SSM3K357R,LF TSSM3K357R
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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SSM3K357R,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SSM3K357R,LF
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
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SSM3K357R,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
auf Bestellung 8191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SSM3K357R,LF
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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Hersteller: Toshiba
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C; SSM3K357RLFT-TOS-0; SSM3K357R,LF(T; SSM3K357R,LF TSSM3K357R
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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