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SSM3K35AMFV,L3F

SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=55390&prodName=SSM3K35AMFV
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
auf Bestellung 88000 Stücke:
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Technische Details SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
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1323+0.13 EUR
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SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
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SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Toshiba F8B560E612A1399BFB0F7F302AE71DD808FF9622ADDA2F110CF62E49966BC446.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55390&prodName=SSM3K35AMFV Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
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