Technische Details SSM3K376R,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm.
Weitere Produktangebote SSM3K376R,LF(T nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM3K376R,LF(T | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K376R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
auf Bestellung 5340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K376R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm |
auf Bestellung 5340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K376R,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM3K376R,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15000+ | 0.13 EUR |
| 24000+ | 0.12 EUR |
| 30000+ | 0.11 EUR |
| SSM3K376R,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.5 EUR |
| 741+ | 0.29 EUR |
| 991+ | 0.21 EUR |
| 1500+ | 0.19 EUR |
| SSM3K376R,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 0.87 EUR |
| 466+ | 0.5 EUR |
| 741+ | 0.29 EUR |
| 991+ | 0.21 EUR |
| 1500+ | 0.19 EUR |
| SSM3K376R,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)