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SSM3K37CT,L3F(T Toshiba


66docget.jsppidssm3k37ctlangentypedatasheet.jsppidssm3k37ctlangenty.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
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Technische Details SSM3K37CT,L3F(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 100mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: CST, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm.

Weitere Produktangebote SSM3K37CT,L3F(T nach Preis ab 0.087 EUR bis 0.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K37CT,L3F(T SSM3K37CT,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
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Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 5475 Stücke:
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SSM3K37CT,L3F(T SSM3K37CT,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
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SSM3K37CT,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
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