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SSM3K56CT,L3F(T

SSM3K56CT,L3F(T Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
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Technische Details SSM3K56CT,L3F(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K56CT,L3F(T SSM3K56CT,L3F(T Toshiba 7417docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k56ct.jsptypedatasheetlangenp.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
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SSM3K56CT,L3F(T SSM3K56CT,L3F(T TOSHIBA 4163432.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
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SSM3K56CT,L3F(T SSM3K56CT,L3F(T TOSHIBA 4163432.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 500mW
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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Description: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
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Description: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
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Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
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