
SSM3K7002KFU,LF(T TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 37965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
725+ | 0.10 EUR |
970+ | 0.07 EUR |
1075+ | 0.07 EUR |
1325+ | 0.05 EUR |
1400+ | 0.05 EUR |
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Technische Details SSM3K7002KFU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K7002KFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM3K7002KFU,LF(T nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.10 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SSM3K7002KFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.15W Case: SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 37965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K7002KFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 23110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K7002KFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 23110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K7002KFU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
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