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SSM3K7002KFU,LF

SSM3K7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=35715&prodName=SSM3K7002KFU Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Anzahl Preis
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6000+0.04 EUR
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Technische Details SSM3K7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 400MA USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: USM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SSM3K7002KFU,LF SSM3K7002KFU,LF Hersteller : Toshiba SSM3K7002KFU_datasheet_en_20240926-1138298.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V
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SSM3K7002KFU,LF SSM3K7002KFU,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35715&prodName=SSM3K7002KFU Description: MOSFET N-CH 60V 400MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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SSM3K7002KFU,LF SSM3K7002KFU,LF Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin USM T/R
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SSM3K7002KFU,LF Hersteller : Toshiba ssm3k7002kfu_datasheet_en_20210528.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin USM T/R
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SSM3K7002KFU,LF SSM3K7002KFU,LF Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin USM T/R
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