| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 199+ | 1.01 EUR |
| 355+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details SSM5H16TU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-353F, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: U-MOSIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM5H16TU,LF(T nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM5H16TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-353F Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM5H16TU,LF(T | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-353F Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM5H16TU,LF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
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SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 175+ | 1.43 EUR |
| 282+ | 0.82 EUR |
| 441+ | 0.49 EUR |
| 582+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| SSM5H16TU,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 175+ | 1.44 EUR |
| 281+ | 0.82 EUR |
| 439+ | 0.49 EUR |
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