SSM6J402TU,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SSM6J402TU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm.
Weitere Produktangebote SSM6J402TU,LF(T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
SSM6J402TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm |
auf Bestellung 2685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM6J402TU,LF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
Description: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)

