| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 295+ | 0.6 EUR |
| 342+ | 0.5 EUR |
| 396+ | 0.43 EUR |
| 457+ | 0.36 EUR |
| 522+ | 0.31 EUR |
| 612+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details SSM6J414TU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6J414TU,LF(T nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SSM6J414TU,LF(T | Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UF T/R |
auf Bestellung 3562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6J414TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM6J414TU,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UF T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UF T/R
auf Bestellung 3562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 295+ | 0.6 EUR |
| 342+ | 0.49 EUR |
| 396+ | 0.4 EUR |
| 457+ | 0.35 EUR |
| 522+ | 0.29 EUR |
| 612+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| SSM6J414TU,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 184+ | 1.36 EUR |
| 279+ | 0.83 EUR |
| 435+ | 0.49 EUR |
| 575+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |