SSM6J422TU,LXHF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.46 EUR |
| 185+ | 1.25 EUR |
| 264+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
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Technische Details SSM6J422TU,LXHF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm.
Weitere Produktangebote SSM6J422TU,LXHF(T nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM6J422TU,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM6J422TU,LXHF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 171+ | 1.46 EUR |
| 185+ | 1.25 EUR |
| 264+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |