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SSM6J771G,LF(S TOSHIBA


4163428.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: WCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.47 EUR
169+1.37 EUR
252+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
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Technische Details SSM6J771G,LF(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: WCSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM6J771G,LF(S SSM6J771G,LF(S TOSHIBA 4163428.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
169+1.37 EUR
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500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
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