SSM6K217FE,LF(A TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm.