SSM6K514NU,LF(T Toshiba
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 620+ | 0.23 EUR |
| 625+ | 0.22 EUR |
| 646+ | 0.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SSM6K514NU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6K514NU,LF(T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6K514NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
SSM6K514NU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A Automotive 6-Pin UDFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |