SSM6K514NU,LF(T Toshiba
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 268+ | 0.65 EUR |
| 306+ | 0.57 EUR |
| 347+ | 0.49 EUR |
| 408+ | 0.4 EUR |
| 469+ | 0.35 EUR |
| 601+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SSM6K514NU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm.
Weitere Produktangebote SSM6K514NU,LF(T nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6K514NU,LF(T | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 1.25W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
SSM6K514NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 1.25W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SSM6K514NU,LF(T |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 162+ | 1.55 EUR |
| 263+ | 0.88 EUR |
| 400+ | 0.54 EUR |
| 527+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| SSM6K514NU,LF(T |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 162+ | 1.55 EUR |
| 263+ | 0.88 EUR |
| 400+ | 0.54 EUR |
| 527+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |