SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
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Technische Details SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2), Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SSM6L61NU,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Part Status: Active |
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SSM6L61NU,LF | Hersteller : Toshiba |
MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A |
auf Bestellung 14153 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| SSM6L61NU,LF | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R |
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