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SSM6N36FE,LM(T TOSHIBA



Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
315+0.8 EUR
511+0.45 EUR
814+0.26 EUR
1330+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
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Technische Details SSM6N36FE,LM(T TOSHIBA

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM6N36FE,LM(T SSM6N36FE,LM(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
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SSM6N36FE,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
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315+0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 315 Stücke
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