SSM6N58NU,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N58NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.067 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 195+ | 1.29 EUR |
| 265+ | 0.88 EUR |
| 430+ | 0.5 EUR |
| 596+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 5000+ | 0.27 EUR |
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Technische Details SSM6N58NU,LF(T TOSHIBA
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Weitere Produktangebote SSM6N58NU,LF(T nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SSM6N58NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N58NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.067 ohm, UDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: UDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm |
auf Bestellung 11863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM6N58NU,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N58NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.067 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
Description: TOSHIBA - SSM6N58NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.067 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 195+ | 1.29 EUR |
| 265+ | 0.88 EUR |
| 430+ | 0.5 EUR |
| 596+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 5000+ | 0.27 EUR |