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SSM6N68NU,LF(T

SSM6N68NU,LF(T Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 6-Pin UDFN-B EP T/R
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Technische Details SSM6N68NU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM6N68NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.084 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.084ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SSM6N68NU,LF(T SSM6N68NU,LF(T TOSHIBA 4249054.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N68NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.084 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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198+1.26 EUR
322+0.73 EUR
503+0.43 EUR
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SSM6N68NU,LF(T SSM6N68NU,LF(T TOSHIBA 4249054.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N68NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.084 ohm
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