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SSM6P35AFU,LF

SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35AFU_datasheet_en_20210201.pdf?did=56756&prodName=SSM6P35AFU
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
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Technische Details SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 285mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: US6.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM6P35AFU,LF SSM6P35AFU,LF Toshiba 4FEBC6B1DFDC3FCE79FBF3ECFDDE9AD55921D9E950F5A595A835B39B3670A961.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
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SSM6P35AFU,LF SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFU_datasheet_en_20210201.pdf?did=56756&prodName=SSM6P35AFU Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
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SSM6P35AFU,LF Toshiba SSM6P35AFU_datasheet_en_20210201.pdf?did=56756&prodName=SSM6P35AFU Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
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MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
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SSM6P35AFU,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
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FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
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Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
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