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SSS6N60A

SSS6N60A Samsung

sss6n60a-samsung.pdf
Produktcode: 43341
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Hersteller: Samsung
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/9,3
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.98 EUR
    10+1.67 EUR
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    Möglichen Substitutionen SSS6N60A Samsung

    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    SSS6N60A SSS6N60A
    Produktcode: 172151
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    		Fairchild Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220F
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
    Drain-Strom Idd, A: 3,2 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/9,3
    Bemerkung: Ізольований корпус
    Montage: THT
    auf Bestellung 73 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    SSS6N60A
    Produktcode: 172151
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    SSS6N60A
    Hersteller: Fairchild
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220F
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
    Drain-Strom Idd, A: 3,2 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/9,3
    Bemerkung: Ізольований корпус
    Montage: THT
    auf Bestellung 73 St.:
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    SSS6N60A FSC
    auf Bestellung 22000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    SSS6N60A
    Hersteller: FSC
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    SG3525AP
    Produktcode: 29169
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    		CD00000958.pdf
    SG3525AP
    Hersteller: ST
    IC > IC Netzteile
    Gehäuse: SO-16
    Funktion und Eigenschaften: PWM Controllers 2 Ausgänge
    Spannung eing., V: 40 V
    I-ausg., A: 0,5 A
    Fosc, kHz: 400 kHz
    Temperaturbereich: -25…+85°C
    auf Bestellung 166 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
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