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SSS6N60A

SSS6N60A Fairchild

Produktcode: 172151
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 3,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/9,3
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
auf Bestellung: 67 St.
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Möglichen Substitutionen SSS6N60A Fairchild

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSS6N60A SSS6N60A
Produktcode: 43341
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Samsung sss6n60a-samsung.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/9,3
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
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SSS6N60A
Produktcode: 43341
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sss6n60a-samsung.pdf
SSS6N60A
Hersteller: Samsung
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/9,3
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSS6N60A FSC
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SSS6N60A
Hersteller: FSC
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BC557B
Produktcode: 1826
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BC556,BC557.pdf
BC557B
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 45 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
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10+0.06 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.036 EUR
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IR2153PBF
Produktcode: 23423
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description IR2153D,S,PBF.pdf
IR2153PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,1/0,1 А
Ausgangsspannung Vout, V: 15,6 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Bemerkung: Selbstschwingender Halbbrückentreiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
erwartet: 150 St.
  • 150 St. - erwartet 05.10.2026
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DB157G (Diodenbrücke)
Produktcode: 42663
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DB151G_DB157G.pdf
DB157G (Diodenbrücke)
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 1,5 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: DB151, DB152, DB153, DB154, DB155, DB156, DB157, DB151G, DB152G, DB153G, DB154G, DB155G, DB156G, DF15005, DF1501, DF1502, DF1504, DF1506, DF1508, DF1510, DB157-BP
Montage: THT
Impulsstrom, A: 50 А
UKTZED: 8541 10 00 10
auf Bestellung: 1870 St.
  • 1870 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.18 EUR
100+0.11 EUR
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MJE13009F (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 104845
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mje13009f.pdf
MJE13009F (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220ISO
Transitfrequenz fT: 4 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 400 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 700 В
Kollektorstrom Ic, A: 12 А
Montage: THT
auf Bestellung: 171 St.
  • 171 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+1.18 EUR
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Isopropylalkohol gereinigt 99.9% 1000мл
Produktcode: 169565
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Isopropylalkohol gereinigt 99.9% 1000мл
Chemie > Reinigungsmittel
Beschreibung: Isopropylalkohol gereinigt 99.9%, Verpackung: Kunststoffkanister 1 Liter
Verwendung: Isopropylalkohol als Reiniger wird in der Elektrotechnik, Elektronik, Metallurgie usw. eingesetzt. Löst gut natürliche und einige synthetische Harze, Ethylcellulose, Polyvinylbutyral und die meisten Öle. Wird als Desinfektionsmittel verwendet. Gefriert bei sehr niedrigen Temperaturen, wodurch er in der Automobilindustrie eingesetzt werden kann.
Verpackung: 1l
Typ: Alkohol
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 541 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+9.79 EUR
10+9.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH