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SSTA06HZGT116

SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SSTA06HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Technische Details SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSTA06HZGT116 SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor ssta06hzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1083+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1083 Stücke
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SSTA06HZGT116 SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=SSTA06HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.29 EUR
116+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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SSTA06HZGT116 SSTA06HZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=SSTA06HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.5A 80V VCEO
auf Bestellung 2199 Stücke:
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11+0.29 EUR
100+0.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SSTA06HZGT116 SSTA06HZGT116 ROHM ssta06hzg-e.pdf Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.84 EUR
519+0.45 EUR
855+0.25 EUR
1188+0.18 EUR
1361+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
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SSTA06HZGT116 SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor ssta06hzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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SSTA06HZGT116 SSTA06HZGT116 ROHM ROHM-S-A0002956876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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SSTA06HZGT116 ssta06hzg-e.pdf
SSTA06HZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.5A 80V VCEO
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1000+0.12 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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855+0.25 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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SSTA06HZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
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Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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