Technische Details SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SST3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SSTA06HZGT116 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSTA06HZGT116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSTA06HZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SSTA06HZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 53 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SSTA06HZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSTA06HZGT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.42 EUR |
| 81+ | 0.26 EUR |
| 131+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.1 EUR |
| SSTA06HZGT116 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SSTA06HZGT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SSTA06HZGT116 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




