SSTA56HZGT116 Rohm Semiconductor
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Technische Details SSTA56HZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SSTA56HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SSTA56HZGT116 nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SSTA56HZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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SSTA56HZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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SSTA56HZGT116 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-23 -0.5A -80V VCEO |
auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSTA56HZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSTA56HZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SSTA56HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SSTA56HZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SSTA56HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSTA56HZGT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SSTA56HZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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SSTA56HZGT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
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