Technische Details ST1802HI STM
Description: TRANS NPN 600V 10A ISOWATT-218, Packaging: Tube, Package / Case: ISOWATT-218-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: ISOWATT-218, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 50 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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ST1802HI | STMicroelectronics |
 Description: TRANS NPN 600V 10A ISOWATT-218Packaging: Tube Package / Case: ISOWATT-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V Supplier Device Package: ISOWATT-218 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 50 W |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ST1802HI | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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ST1802HI | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw |
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| ST1802HI |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 600V 10A ISOWATT-218
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: ISOWATT-218
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 600V 10A ISOWATT-218
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: ISOWATT-218
Part Status: Obsolete
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
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