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STB11NK40ZT4

STB11NK40ZT4 STMicroelectronics

stp11nk40zfp.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STB11NK40ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm.

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STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stp11nk40zfp.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics STB11NK40Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics STB11NK40Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stp11nk40zfp.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stp11nk40zfp.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003028.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1000
STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stb11nk40zt4-1850135.pdf MOSFET N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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15+ 3.61 EUR
100+ 3.15 EUR
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2000+ 2.6 EUR
5000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003028.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
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STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307461.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
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STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307461.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
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STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stp11nk40zfp.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK40ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003028.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
auf Bestellung 245 Stücke:
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2+5.69 EUR
10+ 4.91 EUR
100+ 4.31 EUR
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