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STB140NF75T4 D2PAK

Produktcode: 218913
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STB140NF75T4 STB140NF75T4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000319.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB140NF75T4 STB140NF75T4 Hersteller : STMicroelectronics STx140NF75.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 310W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
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STB140NF75T4 STB140NF75T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003199.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
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3+7.18 EUR
10+4.74 EUR
100+3.35 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STB140NF75T4 STB140NF75T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003199.pdf MOSFETs N-Ch 75 Volt 120 Amp
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10+4.79 EUR
100+3.41 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.89 EUR
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STB140NF75T4 STB140NF75T4 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00003199.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STB140NF75T4 STB140NF75T4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000319.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB140NF75T4 STB140NF75T4 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00003199.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STB140NF75T4 Hersteller : STM en.CD00003199.pdf МОП-транзистор N-Ch 75 V 120 A D2PAK-2 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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STB140NF75T4 STB140NF75T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003199.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
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