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STB24N60DM2

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMICROELECTRONICS SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.09 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.83 EUR
27+3.21 EUR
50+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics stb24n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.1 EUR
51+3.33 EUR
100+2.99 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics stb24n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 580 Stücke:
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29+6.1 EUR
51+3.26 EUR
100+2.87 EUR
500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics en.DM00099972.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+3.67 EUR
100+3.31 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.57 EUR
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STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMICROELECTRONICS SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.12 EUR
37+6.43 EUR
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STB24N60DM2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
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STB24N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB24N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 580 Stücke:
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STB24N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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51+3.26 EUR
100+2.87 EUR
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STB24N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.2 EUR
10+3.67 EUR
100+3.31 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.57 EUR
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STB24N60DM2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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25+10.12 EUR
37+6.43 EUR
100+4.09 EUR
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