STB24NM60N STMicroelectronics
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Technische Details STB24NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote STB24NM60N nach Preis ab 1.9 EUR bis 10.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STB24NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB24NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
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STB24NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
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STB24NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STB24NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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STB24NM60N Produktcode: 58647
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Hersteller : ST |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 Beschreibung: MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
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STB24NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB24NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STB24NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB24NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
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