STB24NM60N

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Produktcode: 58647
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Hersteller: ST
Beschreibung: MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
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STB24NM60N STB24NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.DM00022852.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
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STB24NM60N STB24NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.DM00022852.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
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STB24NM60N STB24NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.DM00022852.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB24NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.DM00022852.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC
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