Weitere Produktangebote STB4NK60ZT4 nach Preis ab 0.73 EUR bis 4.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 1535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.76ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB4NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STB4NK60ZT4 | Hersteller : STM |
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |