STB75NF75LT4
Produktcode: 62438
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Hersteller: ST
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 75
JHGF: SMD
Produktrezensionen
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STB75NF75LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB75NF75LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB75NF75LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB75NF75LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB75NF75LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 75 Volt 75 Amp |
auf Bestellung 1520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB75NF75LT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 37.5 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB75NF75LT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 37.5 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB75NF75LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STB75NF75LT4 | Hersteller : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB75NF75LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
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