STB7NK80ZT4 STMicroelectronics
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Technische Details STB7NK80ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STB7NK80ZT4 nach Preis ab 1.63 EUR bis 6.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB7NK80ZT4 | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB7NK80ZT4 STB7NK80Z TSTB7NK80Z Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB7NK80ZT4 Produktcode: 51282 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB7NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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