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STB7NK80ZT4

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Produktcode: 51282
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1000+1.73 EUR
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1000+1.78 EUR
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
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2000+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics STB7NK80Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 17 Stücke:
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17+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.86 EUR
10+3.84 EUR
100+2.7 EUR
500+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+6.21 EUR
10+3.89 EUR
100+2.96 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.31 EUR
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 762 Stücke:
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB7NK80ZT4 Hersteller : ST en.CD00003046.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB7NK80ZT4 STB7NK80Z TSTB7NK80Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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STB7NK80ZT4 Hersteller : STM STx7NK80Z.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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