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STB7NK80ZT4

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Produktcode: 51282
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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1000+1.31 EUR
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+1.63 EUR
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.86 EUR
2000+1.73 EUR
3000+1.61 EUR
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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90+1.9 EUR
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.44 EUR
2000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.97 EUR
10+4.57 EUR
100+3.21 EUR
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003046.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
auf Bestellung 991 Stücke:
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1+7.5 EUR
10+4.77 EUR
100+3.52 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.76 EUR
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STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.82 EUR
46+5.13 EUR
100+3.59 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.31 EUR
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.76 EUR
2000+1.68 EUR
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.86 EUR
2000+1.73 EUR
3000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1000+2.05 EUR
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.13 EUR
3000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+2.19 EUR
90+1.9 EUR
101+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.19 EUR
2000+2.05 EUR
3000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB7NK80ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.37 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STB7NK80ZT4 en.CD00003046.pdf
STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.97 EUR
10+4.57 EUR
100+3.21 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STB7NK80ZT4 en.CD00003046.pdf
STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.5 EUR
10+4.77 EUR
100+3.52 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB7NK80ZT4 SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB7NK80ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.82 EUR
46+5.13 EUR
100+3.59 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH